中 CXMT, 고유전율 D램 소재 양산 적용...삼성·SK '맹추격'

💻 中 CXMT, 고유전율 D램 소재 양산 적용...삼성·SK '맹추격' https://zdnet.co.kr/view/?no=20260827105351 📌 선두업체 전유물 ‘High-k’ 양산 적용 테크인사이츠 분석 결과, CXMT는 16나노급 G4 공정 기반 LPDDR5X에 HKMG(High-k Metal Gate) 기술을 성공적으로 도입 High-k는 미세공정에서 누설전류를 줄이고 전력 효율·성능을 높이는 핵심 소재로, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론이 4~5년 전부터 적용 CXMT가 단순 범용 D램 증설을 넘어 소재·공정 기술에서도 글로벌 3강을 빠르게 추격하고 있다는 점에 주목 📌 HBM2E 초도생산·HBM3 샘플링 진입 CXMT는 18나노급 G3 공정 기반 HBM2E 리스크 양산 단계에 진입한 것으로 파악 16나노급 G4 기반 HBM3는 현재 샘플링 진행 중이며, 15나노급 G5 D램 공정도 개발 중 테크인사이츠는 CXMT의 기술력이 선두업체 대비 약 2세대 뒤처진 것으로 평가했으나 HBM까지 제품군을 빠르게 확대 중 📌 삼성·SK, 다음 승부처는 ‘4F스퀘어’ 삼성전자·SK하이닉스는 10나노 미만 차차세대 D램 D0A에서 기존 6F2보다 셀 면적을 줄인 4F2 구조를 추진할 가능성이 높은 것으로 분석 4F2는 셀 구조를 수직화해 동일 면적 내 집적도를 높이는 방식으로, 성능과 전력 효율 개선이 핵심 마이크론은 4F2보다 셀을 수직 적층하는 3D D램으로 바로 전환할 가능성이 높은 것으로 평가 📌 中 추격 빨라질수록 ‘구조 혁신’ 중요성 확대 CXMT의 High-k 적용은 중국 D램이 단순 생산능력 확대에서 첨단 공정 경쟁 단계로 진입하고 있음을 보여주는 신호 삼성전자·SK하이닉스 입장에서는 미세화만으로 격차를 유지하기 어려워지면서 4F2·3D D램 등 구조적 기술 전환의 중요성이 확대 향후 투자 포인트는 CXMT의 G5·HBM3 양산 진척과 국내 업체의 D0A·4F2 상용화 속도 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi