삼성전자, AI 반도체 ‘배선 저항’ 45% 낮췄다...미세화 한계 돌파 기술 개발

💻 삼성전자, AI 반도체 ‘배선 저항’ 45% 낮췄다...미세화 한계 돌파 기술 개발 https://www.dt.co.kr/article/12079400 📌 루테늄 선저항 45% 낮춰 삼성전자 종합기술원이 탄소 기반 촉진제를 활용한 배선 기술 개발 나노미터급 루테늄 배선에서 기존 대비 선저항 약 45% 절감 연구 결과는 세계적 학술지 ‘사이언스’ 본지에 게재 📌 결정 배열 99% 이상 정렬 미량의 탄소 촉진제로 금속 결정 방향과 결정립계를 제어 루테늄 결정의 99% 이상을 동일 방향으로 배열하는 데 성공 비정질 절연막 위에서도 고배향 박막 구현 📌 초미세 배선 병목 해결 가능성 배선 미세화 시 결정립계 충돌로 저항·발열·전력손실 증가 이번 기술은 소재 교체보다 결정구조 제어로 저항을 낮춘 방식 신호 지연 감소와 전력효율 개선에 직접 기여 가능 📌 AI·HPC 첨단공정 적용 기대 향후 실제 공정 적용 시 AI 가속기·HPC용 로직 반도체 성능 개선 기대 트랜지스터 미세화뿐 아니라 배선 기술이 첨단공정 경쟁력 핵심으로 부상 삼성전자의 차세대 로직 공정 원천기술 확보 측면에서 주목 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi