[단독] 삼성전자, '차세대 HBM' TSMC와 함께 만든다

🔜 [단독] 삼성전자, '차세대 HBM' TSMC와 함께 만든다 핵심 키워드 · HBM, 파운드리 주요 내용 1. 삼성전자가 엔비디아의 차세대 맞춤형 고대역폭메모리(HBM) 개발 시 핵심 구성품인 베이스다이를 TSMC의 3나노 공정으로 제조하기로 했다. 2. 엔비디아는 올 8월 공개한 커스텀 HBM인 'NVHBM' 생산을 맡긴 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론에 베이스다이를 TSMC 3나노 공정으로 제조할 것을 요구했으며 코어다이는 6세대 D램 공정으로 통일을 요청했다. 3. 삼성전자는 그간 HBM 공급 시 코어다이와 베이스다이를 모두 자체 생산해왔으나 엔비디아의 기술 요구 사항을 수용해 제조 방식을 변경하기로 했다. 4. 삼성은 AMD 등 다른 고객사의 커스텀 HBM에서는 턴키 방식을 고수하며, NVHBM용 베이스다이를 자사 파운드리에서도 제조할 수 있는지 검증 중이다. https://m.sedaily.com/article/20102940?ref=naver