중국언론이 평가한 반도체와 A주 ETF 배팅 방법 : DRAM·HBM 타이트한 수굽, 메모리 반도체 호황 사이클은 얼마나 더 이어질까?

>>중국언론이 평가한 반도체와 A주 ETF 배팅 방법 : DRAM·HBM 타이트한 수굽, 메모리 반도체 호황 사이클은 얼마나 더 이어질까? •이번 호황의 핵심은 AI 수요 확대와 공급 제약. AI 대규모 모델의 학습과 추론 확대로 메모리 대역폭과 용량 수요가 급증하고 있으며, HBM은 TSV 기술을 통해 여러 DRAM 칩을 수직 적층해 기존 메모리 병목을 해소하면서 AI 서버의 핵심 부품으로 자리 잡고 있음. 반면 삼성전자·SK하이닉스·마이크론은 신규 생산능력을 HBM에 집중하고 있어 전통 DRAM과 낸드의 공급 탄력성은 제한적인 상황임. 동시에 CXMT와 YMTC도 DRAM·낸드 생산능력을 확대하면서 글로벌 메모리 공급 구도가 변화하고 있음. •이번 호황은 실적에서도 확인되고 있음. 중국 롱시스는 2026년 상반기 순이익이 92억~110억 위안으로 YoY 620배 이상 증가할 것으로 전망, 비윈 스토리지와 기가디바이스 등도 시장 예상치를 웃도는 실적 전망을 내놓았음. A주 메모리 관련 36개 종목의 총 시가총액도 연초 1조2,300억 위안에서 3조3,300억 위안으로 급증. 특히 HBM 등 고급 제품은 기술 장벽과 고객 락인 효과가 높아 이번 사이클이 과거보다 오래 지속될 가능성 •다만 리스크도 상존. AI 서버의 HBM 수요 증가세가 둔화될 경우 HBM 생산능력 과잉과 범용 DRAM·낸드 공급 부족이 동시에 나타나는 생산능력 미스매치가 발생할 수 있음. CXMT와 YMTC의 증설 및 기술 고도화가 시장 기대에 못 미칠 가능성과 스마트폰·PC 등 소비전자 수요 회복 부진도 변수여기에 높은 기대감이 주가에 상당 부분 반영된 만큼 단기 밸류에이션 부담과 조정 가능성도 경계 •A주에서 메모리 반도체에 투자하는 방법은 크게 과창판 반도체 지수 펀드와 메모리 반도체 테마 지수 ETF로 나뉨. 과창판 반도체 지수 펀드는 메모리뿐 아니라 AI 컴퓨팅 칩, 반도체 장비, 파운드리 등까지 포괄해 메모리 사이클 변동에 대한 분산 효과를 기대할 수 있음. 대표 상품은 자스 상하이거래소 과창판 반도체 ETF 연계 A/C(017469/017470) •반면 , ‘메모리 반도체 테마 지수 ETF는 이팡다 중증 메모리 반도체 ETF(159656)’로, 중증 메모리 반도체 지수를 추종하며 DRAM·낸드 설계와 메모리 모듈 등 메모리 산업에 보다 직접적으로 투자. 메모리 업황과 가격 사이클에 대한 동조화가 강해 상승장에서 탄력이 큰 대신, 수급이 반전될 경우 조정폭 역시 커질 수 있음. •결국 이번 메모리 호황은 AI 컴퓨팅 수요 폭발, 3대 메모리 업체의 보수적인 증설, 중국산 대체 가속이 동시에 작용한 결과임. 과창판 반도체 지수 펀드는 메모리와 AI·장비 등을 함께 담아 상대적으로 분산된 접근이 가능하고, ‘159656 메모리 반도체 ETF’눈 메모리 사이클 자체에 보다 직접적으로 베팅하는 상품이라는 차이가 있음. 다만 메모리 반도체는 대표적인 경기순환 산업인 만큼 HBM 수요, 생산능력 확대 속도, 중국 업체의 기술 진전 등을 함께 살펴볼 필요가 있음