TSMC 첨단 공정 생산능력 배치

**TSMC 첨단 공정 생산능력 배치 •신주 과학단지: Fab 2(0.25μm 이상), Fab 3(0.11μm 이상), Fab 5(0.11μm 이상), Fab 8(0.11μm 이상), Fab 12(3nm~90nm), Fab 20(2nm·1.4nm·1nm), 글로벌 R&D 센터 •타이중 과학단지: Fab 15(6/7nm·22/28nm), Fab 25(1.4nm, 2025년 착공·2028년 양산 예정) •타이난 과학단지: Fab 6(90nm 이상), Fab 14(12/16nm~90nm), Fab 18(4/5nm·3nm·2nm) •가오슝: Fab 22(2nm 이하) •핵심 역할: 신주는 연구개발과 2nm·1.4nm·1nm 차세대 공정 중심지, 타이중은 1.4nm 신규 생산기지, 타이난은 3nm·4/5nm 주력 생산기지, 가오슝은 2nm 이하 첨단 공정 양산 거점임. AI·HPC 수요 확대에 맞춰 북부(신주)-중부(타이중)-남부(타이난·가오슝)를 연결하는 첨단 공정 벨트가 구축되고 있으며, 3nm는 타이난 Fab 18, 2nm는 신주 Fab 20과 가오슝 Fab 22, 1.4nm는 신주 Fab 20과 타이중 Fab 25, 1nm는 신주 Fab 20이 담당 예정 (그림 : 대만 공상시보)