중국 《커촹반일보》 인용, 삼성전자는 HBM3E 메모리 공급을 뒷받침하는 1a nm DRAM 생산능력을 30 40% 축소하는 방안을 검토 중임. 대신 공정 전환…

•중국 《커촹반일보》 인용, 삼성전자는 HBM3E 메모리 공급을 뒷받침하는 1a nm DRAM 생산능력을 30~40% 축소하는 방안을 검토 중임. 대신 공정 전환을 통해 범용 메모리에 적용되는 1b nm 생산능력을 확대해 이익 극대화를 추진한다는 계획임 (DealSite) >科创板日报 2日讯,三星电子考虑将支撑其HBM3E内存供应的1a nm DRAM产能削减30~40%,通过制程转换提升适用于通用内存产品的1b nm产能,以实现利润的最大化。 (DealSite)(来自科创板日报APP)