대만경제일보: 삼성전자가 2nm 공정의 첫 성능 데이터를 공개하며 TSMC 추격 속도를 높임

• 대만경제일보: 삼성전자가 2nm 공정의 첫 성능 데이터를 공개하며 TSMC 추격 속도를 높임 • 1세대 2nm 공정은 GAA 트랜지스터 기술 적용. 3nm 2세대 공정 대비 성능 +5%, 전력 효율 +8% 개선, 칩 면적 –5% 감소 > 三星公布首批2纳米芯片性能数据,加速追赶台积电. 三星电子公布了其即将推出的2nm芯片工艺的首批性能数据,标志着该公司将更加积极地推进下一代晶圆代工制造,以缩小与台积电的差距。三星宣布,其首代2nm工艺采用了全栅极环绕(GAA)晶体管技术,相比第二代3nm工艺,性能提升5%,功耗效率提高8%,芯片面积缩小5%。这是三星首次发布2nm的具体规格,此前仅出现概念性描述。(台湾电子时报)