기존 HBM이 DRAM 적층에 집중했다면, 차세대 HBM4부터는 하단 로직 칩인 '베이스 다이'의 설계 능력이 성능을 결정짓는 핵심 요소. 베이스 다이가 4나노…

• 기존 HBM이 DRAM 적층에 집중했다면, 차세대 HBM4부터는 하단 로직 칩인 '베이스 다이'의 설계 능력이 성능을 결정짓는 핵심 요소. 베이스 다이가 4나노 등 첨단 파운드리 공정으로 제작되면서, 메모리 제조사와 ASIC 설계 업체 간의 협력이 필수적인 구조로 변화 • 삼성은 4나노 기반 베이스 다이와 첨단 패키징을 결합한 '원스톱 솔루션'으로 AMD의 차세대 GPU(MI455X) 시장을 공략 • TSMC 생태계의 핵심 설계 파트너인 대만 GUC는 이미 3나노 공정 기반의 HBM4 컨트롤러 테스트 칩을 완성하며 기술적 우위를 증명 • HBM3E까지는 SK하이닉스가 시장을 주도하고 있으나, 로직 설계 역량이 중요해지는 HBM4 단계에서는 상대적으로 보수적이라는 평가를 받고 있음. 설계 복잡도가 급상승함에 따라, SK하이닉스가 경쟁력을 유지하기 위해 다시 대만 ASIC 업체들과 손을 잡고 시스템 통합 능력을 보강할 가능성이 제기 >https://www.ctee.com.tw/news/20260323700057-439901